Residual stress distribution and flatness of dislocation-free Te-GaSb (100) substrate
Residual stress distribution and flatness of dislocation-free Te-GaSb (100) substrate
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无位错Te-GaSb(100)衬底的残余应力分布和平坦度
DOI：
10.35848/1347-4065/abe815
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发表时间：
2021-03
影响因子：
1.5
通讯作者：
Jun Yang
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Yuan Zhou;Youwen Zhao;Hui Xie;Guiying Shen;Liu Jingming;Jun Yang
采用拉曼光谱法研究了不同Te掺杂浓度的液封直拉法生长的GaSb单晶片的残余应力分布。以LEC法和垂直温度梯度凝固法生长的未掺杂GaSb晶片作为参考晶片进行对比分析。随着Te掺杂浓度的增加，LEC-GaSb晶片中的残余应力增大，但其分布均匀性得到改善。在650 °C退火可有效地提高其分布均匀性，改善平整度。实验结果还表明，当Te掺杂浓度控制在一定范围内时，GaSb晶片的平整度较好。
Raman spectroscopy has been used to evaluate residual stress distribution across GaSb single crystal wafers with different Te doping concentrations grown by liquid encapsulated Czochralski (LEC) method. Undoped GaSb wafers grown by LEC and vertical temperature gradient freezing method were used as reference wafers for comparison analysis. The residual stress increases but its distribution uniformity improves in LEC-GaSb wafers with the concentration of Te dopant increasing. Moreover, annealing at temperature 650 °C can effectively increase its distribution uniformity and results in an improvement of the flatness. The results also suggest that the flatness of GaSb wafers is better when Te doping concentration is controlled within a certain range.
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单晶硅纳米磨削过程中残余应力的产生与分布
影响因子：
1.5
作者：
Pei Chen;Zhiwei Zhang;Tong An;Huiping Yu;Fei Qin
通讯作者：
Fei Qin
DOI：
10.1007/978-3-642-18865-7
发表时间：
2003-11
期刊：
--
影响因子：
--
作者：
O. Madelung
通讯作者：
O. Madelung
影响因子：
4.1
作者：
B. Martinez;J. P. Flint;G. Dallas;B. Smith;M. Tybjerg;S. Aravazhi;M. J. Furlong
通讯作者：
B. Martinez;J. P. Flint;G. Dallas;B. Smith;M. Tybjerg;S. Aravazhi;M. J. Furlong
影响因子：
1.8
作者：
H. Haugan;G. Brown;F. Szmulowicz;L. Grazulis;W. Mitchel;S. Elhamri;W. Mitchell
通讯作者：
H. Haugan;G. Brown;F. Szmulowicz;L. Grazulis;W. Mitchel;S. Elhamri;W. Mitchell
影响因子：
2.6
作者：
Weiguo Hu;Zhu Wang;B. Su;Y. Dai;Shao-jie Wang;Yu Zhao
通讯作者：
Weiguo Hu;Zhu Wang;B. Su;Y. Dai;Shao-jie Wang;Yu Zhao