Electrically Tunable Energy Bandgap in Dual-Gated Ultra-Thin Black Phosphorus Field Effect Transistors
Electrically Tunable Energy Bandgap in Dual-Gated Ultra-Thin Black Phosphorus Field Effect Transistors
复制标题
双栅极超薄黑磷场效应晶体管中的电可调能量带隙
DOI：
10.1088/0256-307x/34/4/047304
复制
发表时间：
2017-03
影响因子：
3.5
通讯作者：
Watanabe Kenji
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Yan Shi-Li;Xie Zhi-Jian;Chen Jian-Hao;Taniguchi Takashi;Watanabe Kenji
The energy bandgap is an intrinsic character of semiconductors, which largely determines their properties. The ability to continuously and reversibly tune the bandgap of a single device during real time operation is of great importance not only to device
登录
查看更多内容
影响因子：
10.8
作者：
Liu, Qihang;Zhang, Xiuwen;Zunger, Alex
通讯作者：
Zunger, Alex
影响因子：
17.1
作者：
Saptarshi Das;M. Demarteau;A. Roelofs
通讯作者：
Saptarshi Das;M. Demarteau;A. Roelofs
影响因子：
6.6
作者：
S. M. Sze
通讯作者：
S. M. Sze
影响因子：
10.8
作者：
Saptarshi Das;Wei Zhang;M. Demarteau;A. Hoffmann;M. Dubey;A. Roelofs
通讯作者：
Saptarshi Das;Wei Zhang;M. Demarteau;A. Hoffmann;M. Dubey;A. Roelofs
影响因子：
4.9
作者：
Luo, Xi;Rahbarihagh, Yaghoob;Ye, Peide D.
通讯作者：
Ye, Peide D.