Continuous-Wave Laser Lateral Crystallization of A-Si Thin Films on Polyimide Using a Heatsink Layer Embedded in the Buffer SiO2
Continuous-Wave Laser Lateral Crystallization of A-Si Thin Films on Polyimide Using a Heatsink Layer Embedded in the Buffer SiO2
复制标题
使用嵌入缓冲 SiO2 中的散热层对聚酰亚胺上的 A-Si 薄膜进行连续波激光横向结晶
DOI：
10.1007/s11664-021-08751-9
复制
发表时间：
2021
影响因子：
2.1
通讯作者：
Shigeto Sugimoto
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Nobuo Sasaki;Muhammad Arif;Yukiharu Uraoka;Jun Gotoh;Shigeto Sugimoto
研究了聚酰亚胺(PI)镀膜玻璃衬底上非晶硅(a-Si)薄膜的连续激光晶化。缓冲层总厚度减小到1.55μm，包括散热片a-Si层和两个SiO_2层。散热层成功地抑制了结晶过程中对聚酰亚胺的破坏。在低扫描速度(15 mm/S)下，在聚酰亚胺衬底上制备了厚度为60 nm的Si薄膜，在15°范围内获得了88.3%的表面分数。
Continuous-wave laser crystallization of amorphous Si (a-Si) thin films on a polyimide (PI)-coated glass substrate is studied by using a single scan of a highly uniform top-flat line-beam with a 123 nm SiO2cap layer and a thin buffer layer at room temperature in air. The total buffer layer thickness is reduced to as thin as 1.55μm including the heatsink a-Si layer and two SiO2layers. Damage to the polyimide during the crystallization is successfully suppressed by the heatsink layer. An 88.3% {100} surface fraction is obtained for a 60-nm-thick Si thin film within 15° on polyimide even with a low scan velocity of 15 mm/s.
登录
查看更多内容
在玻璃基板上获得取向控制的单晶硅区域的混合方法
DOI：
10.1117/12.651139
发表时间：
2006
期刊：
--
影响因子：
--
作者：
P. C. van der Wilt;B. Turk;A. Limanov;A. Chitu;J. Im
通讯作者：
J. Im
可折叠AMOLED显示屏的发展：进展与挑战
影响因子：
--
作者：
Jing‐Yi Yan;J. Ho;Janglin Chen
通讯作者：
Janglin Chen
通过连续波激光扫描结晶的低温多晶硅横向晶粒中取向的功率依赖性
影响因子：
2.1
作者：
N. Sasaki;Yoshiaki Nieda;Daisuke Hishitani;Y. Uraoka
通讯作者：
Y. Uraoka
通过绝缘体上非晶硅连续激光横向结晶的单次扫描实现 (100) 取向无晶界硅薄膜的无晶种晶体生长
影响因子：
2.7
作者：
N. Sasaki;M. Arif;Y. Uraoka;J. Gotoh;S. Sugimoto
通讯作者：
S. Sugimoto
影响因子：
4
作者：
Chen, Bo-Wei;Chang, Ting-Chang;Yan, Jing-Yi
通讯作者：
Yan, Jing-Yi