Fabrication-Tolerant Half-Ridge InP/InGaAsP Polarization Rotator With Etching-Stop Layer
Fabrication-Tolerant Half-Ridge InP/InGaAsP Polarization Rotator With Etching-Stop Layer
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具有蚀刻停止层的可制造半脊 InP/InGaAsP 偏振旋转器
DOI：
10.1109/lpt.2020.2991450
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发表时间：
2020
影响因子：
2.6
通讯作者：
Nakano Yoshiaki
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Elfiqi Abdulaziz E.;Kobayashi Ryoma;Tanomura Ryota;Tanemura Takuo;Nakano Yoshiaki
实验证明了基于半脊波导的高效、抗加工误差的InP/ InGaAsP偏振旋转器。薄InAlAs层嵌入InGaAsP核心层内部以提供相对于InGaAsP的20倍蚀刻选择性，从而能够精确控制干蚀刻核心层厚度。该器件的偏振转换效率大于95%，刻蚀时间容限为± 16%。演示方案提供了一个实用的路径实现紧凑和低成本的InP基单片双偏振收发器与片上偏振（解）复用器。
Highly efficient and fabrication-error-resistant InP/ InGaAsP polarization rotator based on the half-ridge waveguide is experimentally demonstrated. A thin InAlAs layer is embedded inside the InGaAsP core layer to provide 20-fold etching selectivity with respect to InGaAsP, enabling precise control of the dry-etched core layer thickness. The designed device is fabricated to show a high polarization conversion efficiency of more than 95% with a large etching time tolerance of ±16%. Demonstrated scheme offers a practical path towards realizing compact and low-cost InP-based monolithic dual-polarization transceivers with on-chip polarization (de)multiplexers.
光纤跟踪基础知识
DOI：
--
发表时间：
2006
期刊：
diffusion perfusion MRI Medical View Co., Ltd
影响因子：
--
作者：
Yamada;Kei
通讯作者：
Kei
使用 CH4/H2 反应离子蚀刻在 AlInAs 上选择性蚀刻 InP 和 InGaAsP
影响因子：
4
作者：
H. Arnot;R. Glew;G. Schiavini;L. Rigby;A. Piccirillo
通讯作者：
A. Piccirillo
使用琼斯微积分的制造容差集成偏振旋转器设计
影响因子：
4.7
作者：
M. Baier;F. Soares;Tom Gärtner;M. Moehrle;M. Schell
通讯作者：
M. Schell