Buried Heterostructure of Nitride Semiconductors Revealed by Laboratory Level X-ray GTR Scattering

Buried Heterostructure of Nitride Semiconductors Revealed by Laboratory Level X-ray GTR Scattering
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实验室级 X 射线 GTR 散射揭示氮化物半导体的掩埋异质结构

DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
Trans. Mat. Res. Soc. Jpn 33
影响因子：
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通讯作者：
M. Tabuchi
M. Tabuchi
中科院分区：
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文献类型：
--
作者：
Y. Takeda;Y. Maeda;T. Mizuno;M. Tabuchi

文献摘要

参考文献

被引文献

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Nitride Semiconductor Surfaces. Characterization of Initial Growth Stage of GaInN Multilayered Structure by X-ray CTR Scattering and X-ray Reflectivity Method.
氮化物半导体表面。
DOI： 10.1380/jsssj.21.162
发表时间： 2000
期刊： Hyomen Kagaku
影响因子： --
作者：
M. Tabuchi;Y. Takeda;T. Takeuchi;H. Amano;I. Akasaki
通讯作者： I. Akasaki