Detection and Characterization of Stress-Induced Defects In Gate SiO_2 Films by Conductive Atomic Force Microscopy
Detection and Characterization of Stress-Induced Defects In Gate SiO_2 Films by Conductive Atomic Force Microscopy
复制标题
导电原子力显微镜对栅极 SiO_2 薄膜中应力引起的缺陷的检测和表征
DOI：
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发表时间：
2004
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Y.Yasuda
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Y.Watanabe;A.Seko;H.Kondo;A.Sakai;S.Zaima;Y.Yasuda
通过扫描隧道显微镜/扫描隧道光谱研究电子注入导致超薄 SiO2 薄膜中陷阱的产生
影响因子：
6.7
作者：
K. Ohmori;S. Zaima;Y. Yasuda
通讯作者：
Y. Yasuda