Direct Measurements of Trap Density in a SiGe/Si Hetero-Interface and Correlation between the Trap Density and Low Frequency Noise in SiGe-Channel pMOSFETs
Direct Measurements of Trap Density in a SiGe/Si Hetero-Interface and Correlation between the Trap Density and Low Frequency Noise in SiGe-Channel pMOSFETs
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SiGe/Si 异质界面中陷阱密度的直接测量以及 SiGe 沟道 pMOSFET 中陷阱密度与低频噪声之间的相关性
DOI：
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发表时间：
2003
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
T.Tsuchiya et al.
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
A.Hirose;Y.Asano;T.Hamano;T.Tsuchiya et al.
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--
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通讯作者：
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