Influence of top surface passivation on bottom-channel hole mobility of ultrathin SiGe-and Ge-on-insulator

Influence of top surface passivation on bottom-channel hole mobility of ultrathin SiGe-and Ge-on-insulator
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顶面钝化对超薄 SiGe 和 Ge 绝缘体底部沟道空穴迁移率的影响

DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
Applied Physics Letters 93
影响因子：
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通讯作者：
S. Hata. H. Nakashima
S. Hata. H. Nakashima
中科院分区：
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文献类型：
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作者：
H. Yang;D. Wang;H. Nakashima;H. Gao;K. Hirayama;K. Ikeda;S. Hata. H. Nakashima

文献摘要

参考文献

被引文献

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期刊： JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
影响因子： 3.2
作者：
Hamaide, G.;Allibert, F.;Cristoloveanu, S.
通讯作者： Cristoloveanu, S.