Proposal of a New Electronic Structure Model of Ohmic Contacts for Future Metallic Source and Drain
Proposal of a New Electronic Structure Model of Ohmic Contacts for Future Metallic Source and Drain
复制标题
针对未来金属源漏的新型欧姆接触电子结构模型的提出
DOI：
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发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
K.Shiraishi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Y.Takada;M.Muraguchi;T.Endoh;S.Nomura;K.Shiraishi
AlGaAs/GaAs 异质结构欧姆接触的物理和电气研究
DOI：
10.1063/1.357908
发表时间：
1994
期刊：
影响因子：
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作者：
Richard Taylor;P. Coleridge;M. Davies;Y. Feng;J. McCaffrey;P. Marshall
通讯作者：
P. Marshall
影响因子：
8.6
作者：
Yacoby, A;Stormer, HL;West, KW
通讯作者：
West, KW
亚微米长度尺度的 AlGaAs/GaAs 异质结构中二维电子系统的合金欧姆接触
影响因子：
3.3
作者：
O. Göktaş;J. Weber;J. Weis;K. Klitzing
通讯作者：
K. Klitzing