Microelectromechanical displacement sensing using InAs/AlGaSb heterostructures
Microelectromechanical displacement sensing using InAs/AlGaSb heterostructures
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使用 InAs/AlGaSb 异质结构的微机电位移传感
DOI：
10.1063/1.1537047
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发表时间：
2003
影响因子：
4
通讯作者：
Y. Hirayama
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
H. Yamaguchi;S. Miyashita;Y. Hirayama
利用InAs/AlGaSb异质结构制备了自传感微机电位移传感器。灵敏度随InAs厚度的减小而增加，表明当量子能级接近表面费米能级的钉住位置时，压电阻率增强。高灵敏度使我们能够检测到由悬臂梁热振动引起的亚埃位移。
We fabricated self-sensing microelectromechanical displacement sensors from InAs/AlGaSb heterostructures. The sensitivity increased with reduced InAs thickness showing that the piezoresistivity was strongly enhanced when the quantum level approached to the pinning position of surface Fermi level. The high-sensitivity allowed us to detect a subangstrom displacement induced by thermal vibration of cantilevers.
集成GaAs/AlGaAs二维电子系统的微机电谐振器
DOI：
--
发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
--
作者：
H.Yamaguchi;I.Mahboob;H.Okamoto
通讯作者：
H.Okamoto
影响因子：
4
作者：
M. P. Schwarz;D. Grundler;I. Meinel;C. Heyn;D. Heitmann
通讯作者：
M. P. Schwarz;D. Grundler;I. Meinel;C. Heyn;D. Heitmann