Quasi-neutral limit to the drift-diffusion models for semiconductors with physical contact-insulating boundary conditions
Quasi-neutral limit to the drift-diffusion models for semiconductors with physical contact-insulating boundary conditions
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具有物理接触绝缘边界条件的半导体漂移扩散模型的准中性极限
DOI：
10.1016/j.jde.2010.08.029
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发表时间：
2010-12
影响因子：
2.4
通讯作者：
王可
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
王术;王可
本文研究了一维情况下具有物理接触-绝缘边界条件的半导体双极漂移-扩散模型中消失Debye长度的极限。利用奇异摄动理论的渐近展开方法和经典能量方法证明了拟中立极限（零-德拜长度极限）。我们的结果暗示了半导体物理中出现了一种新的有趣的现象。
In this paper the limit of vanishing Debye length in a bipolar drift-diffusion model for semiconductors with physical contact-insulating boundary conditions is studied in one-dimensional case. The quasi-neutral limit (zero-Debye-length limit) is proved by using the asymptotic expansion methods of singular perturbation theory and the classical energy methods. Our results imply that one kind of the new and interesting phenomena in semiconductor physics occurs.
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DOI：
10.1007/978-0-387-49319-0
发表时间：
1941
期刊：
--
影响因子：
--
作者：
J. Jost
通讯作者：
J. Jost
DOI：
10.1142/s021820251000474x
发表时间：
2010-09
影响因子：
3.5
作者：
Q. Ju;Shu Wang
通讯作者：
Q. Ju;Shu Wang
DOI：
10.1007/978-3-642-28070-2_8
发表时间：
2012
期刊：
--
影响因子：
--
作者：
K. Soetaert;J. Cash;F. Mazzia
通讯作者：
K. Soetaert;J. Cash;F. Mazzia
影响因子：
2.4
作者：
L. Hsiao;Shu Wang
通讯作者：
L. Hsiao;Shu Wang
影响因子：
1.9
作者：
P. Markowich;C. Ringhofer
通讯作者：
P. Markowich;C. Ringhofer