Structural Design and Experiment of Narrow-Band Response GaAlAs Photocathodes
Structural Design and Experiment of Narrow-Band Response GaAlAs Photocathodes
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窄带响应GaAlAs光电阴极的结构设计与实验
DOI：
10.1088/0256-307x/33/2/027801
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发表时间：
2016-02
影响因子：
3.5
通讯作者：
Chang, Ben-Kang
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Yu, Hui-Long;Zhang, Yi-Jun;Chen, Xin-Long;Chang, Ben-Kang
为了获得532 nm处的峰值响应，考虑到最大吸收率和量子效率，设计了具有两个不同铝组分的GaAlAs有源层的窄带响应GaAlAs光电阴极。透射型和反射型光电阴极是用金属有机化学气相沉积方法生长的。结果表明，两种光电阴极的峰值响应波长和截止波长分别出现在532 nm处。反射式光电阴极的响应比透射式光电阴极高一个数量级，而较好的生长质量和较厚的第二GaAlAs有源层可以改善透射式光电阴极的响应。
To obtain the peak response at 532 nm, narrow-band response GaAlAs photocathodes with two GaAlAs active layers of different aluminum compositions are designed in consideration of the maximum absorptivity and quantum efficiency. The transmission-mode and the corresponding reflective-mode photocathodes are grown by metalorganic chemical vapor deposition. The results indicate that the peak response and the cut-off wavelength occur at 532 nm for the two kinds of photocathodes respectively. The response of the reflection-mode photocathode is an order of magnitude higher than that of the transmission-mode photocathode, whereas the better growth quality and the thicker second GaAlAs active layer can improve the transmission-mode response.
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J. Zou;Benkang Chang;Zhi Yang;Yijun Zhang;J. Qiao
DOI：
10.1117/12.218624
发表时间：
1995-09
期刊：
--
影响因子：
--
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通讯作者：
T. Sinor;J. Estrera;D. Phillips;M. Rector