Vertical directional coupler network using a-Si slope waveguides
Vertical directional coupler network using a-Si slope waveguides
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使用非晶硅倾斜波导的垂直定向耦合器网络
DOI：
10.1117/12.2542213
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发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Mittal V
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Mittal V
报道了一种适用于多层硅光子学的CMOS兼容三维光子学集成电路。利用单步湿法刻蚀在氧化层中产生角度在10 °和15 °之间的斜坡，以连接两个Si波导层。使用在230 ° C的温度下使用热线化学气相沉积（HWCVD）沉积的非晶Si（a-Si）来制造器件。在1310 nm波长下，在斜率波导中测量到0.5 dB/斜率的损耗。作为演示，我们提出了一个4x4网络开关使用a-Si基垂直定向耦合器。
A CMOS compatible three-dimensional (3D) integrated photonics circuit for multilayer silicon photonics is reported. Slopes with angles between 10o and 15° were created in the oxide layer using single step wet etching to connect the two Si waveguide layers. Amorphous Si (a-Si) deposited using hot wire chemical vapor deposition (HWCVD) at a temperature of 230°C was used to fabricate the device. Losses of 0.5 dB/slope were measured in the slope waveguides at 1310 nm wavelength. As a demonstration, we propose a 4x4 network switch using a-Si based vertical directional coupler.
DOI：
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发表时间：
2019-02
期刊：
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影响因子：
--
作者：
S. Oo;A. Tarazona;A. Khokhar;R. Petra;Y. Franz;G. Mashanovich;G. Reed;A. Peacock;H. Chong
通讯作者：
S. Oo;A. Tarazona;A. Khokhar;R. Petra;Y. Franz;G. Mashanovich;G. Reed;A. Peacock;H. Chong