Selective area growth of InAs quantum dots with a Metal Mask towards optical integrated circuit devices
Selective area growth of InAs quantum dots with a Metal Mask towards optical integrated circuit devices
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使用金属掩模选择性区域生长 InAs 量子点，用于光集成电路器件
DOI：
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发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
K.Asakawa
中科院分区：
文献类型：
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作者：
N.Ozaki;Y.Takata;S.Ohkouchi;Y.Sugimoto;Y.Nakamura;N.Ikeda;K.Asakawa
使用原位掩模在狭窄区域选择性生长高质量 InAs 量子点
影响因子：
1.8
作者：
S. Ohkouchi;Yusui Nakamura;H. Nakamura;N. Ikeda;Y. Sugimoto;K. Asakawa
通讯作者：
K. Asakawa
影响因子：
3.3
作者：
Asakawa, Kiyoshi;Sugimoto, Yoshimasa;Baets, Roel
通讯作者：
Baets, Roel
通过选择性形成原位掩模生长的 GaInAs 覆盖层来控制窄区域中的 InAs 量子点发射波长
影响因子：
1.5
作者：
S. Ohkouchi;Yusui Nakamura;H. Nakamura;K. Asakawa
通讯作者：
K. Asakawa