A 173–200 GHz quadrature voltage-controlled oscillator in 130 nm SiGe BiCMOS
A 173–200 GHz quadrature voltage-controlled oscillator in 130 nm SiGe BiCMOS
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采用 130 nm SiGe BiCMOS 的 173â200 GHz 正交压控振荡器
DOI：
10.1109/asscc.2017.8240225
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发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
F. Ellinger
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
P. Stärke;V. Rieß;C. Carta;F. Ellinger
本文提出了一种基模压控振荡器（VCO），采用130 nm SiGe BiCMOS工艺实现，工作频率可达200 GHz。实现的拓扑结构源自反馈移相器设计，其包括基于90°和180°传输线耦合器的宽带无源多相滤波器和可变增益有源组合器。所制作的电路实现了173-200 GHz的非常大的频率调谐范围，在188 GHz附近的10 MHz偏移处相位噪声低至− 85 dBc/Hz。作为一项独特功能，该拓扑允许同时生成90°正交信号，这些信号由附加的单级输出缓冲器放大。两个输出信号在宽带宽上的功率电平均为−3 dBm，振荡器内核的总直流功耗为27.7 mW，每个缓冲器的总直流功耗为10.3 mW。
This work presents a fundamental-mode voltage-controlled oscillator (VCO) realized in a 130 nm SiGe BiCMOS process for operation up to 200 GHz. The implemented topology is derived from a feedback phase shifter design, which includes a wideband passive polyphase filter based on 90° and 180° transmission line couplers and a variable-gain active combiner. The fabricated circuit achieves a very large frequency tuning range of 173–200 GHz with a phase noise down to −85dBc/Hz at 10 MHz offset around 188 GHz. As an unique feature this topology allows the simultaneous generation of 90° quadrature signals, which are amplified by an additional single-stage output buffer. The power level of both output signals over a wide bandwidth is −3 dBm each, with a total dc power consumption of 27.7 mW for the oscillator core and 10.3 mW per buffer.
DOI：
10.1109/22.739242
发表时间：
1998-06
期刊：
--
影响因子：
--
作者：
C. Cho;K. Gupta
通讯作者：
C. Cho;K. Gupta
190GHz 压控振荡器的设计和表征
DOI：
10.1109/eumc.2016.7824387
发表时间：
2016
期刊：
2016 46th European Microwave Conference (EuMC)
影响因子：
--
作者：
D. Fritsche;Songhui Li;N. Joram;C. Carta;F. Ellinger
通讯作者：
F. Ellinger
DOI：
10.1109/tmtt.2013.2279779
发表时间：
2013-10-01
影响因子：
4.3
作者：
Chiang, Pei-Yuan;Momeni, Omeed;Heydari, Payam
通讯作者：
Heydari, Payam