Extremely Uniform Tunnel Barriers for Low-Cost Device Manufacture
Extremely Uniform Tunnel Barriers for Low-Cost Device Manufacture
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用于低成本设备制造的极其均匀的隧道屏障
DOI：
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发表时间：
2015
影响因子：
4.9
通讯作者：
J. Sexton
中科院分区：
文献类型：
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作者：
M. Missous;M. Kelly;J. Sexton
我们报告了实现对ALAS单隧道屏障性能的控制水平所需的最后步骤，这是制造大容量、低成本微波和毫米波探测器所必需的。当模拟显示AlAs势垒层厚度的单层误差将导致相同电特性的270%的变化时，我们实现了2-in晶片上的电流-电压特性的1%的标准偏差以及来自不同晶片的平均电流变化1%。
We report on the final steps needed to achieve the level of control over the properties of single tunnel barriers of AlAs needed to allow the manufacture of high-volume low-cost microwave and millimeter-waves detectors. We achieve a 1% standard deviation of the current-voltage characteristics across 2-in wafers and average currents from different wafers varying by 1%, when modeling shows that a monolayer error in the AlAs barrier layer thickness would result in a 270% change in the same electrical characteristics.
影响因子：
1.1
作者：
Shao C
通讯作者：
Shao C