Achieving reproducibility needed for manufacturing semiconductor tunnel devices
Achieving reproducibility needed for manufacturing semiconductor tunnel devices
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实现制造半导体隧道器件所需的可重复性
DOI：
10.1049/el.2013.0782
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发表时间：
2013
影响因子：
1.1
通讯作者：
Shao C
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Shao C
在最初研究了半导体异质结隧道效应50年后，本论文的作者首次证明了在薄层半导体隧道势垒层中，基于电子隧道效应制造微波和毫米波探测器所需的电学特性在晶片内、晶片之间、在给定生长周期内以及从一个生长周期到另一个运行周期所需的重复性。
Fifty years after tunnelling through semiconductor heterojunctions was originally investigated, the present authors are the first to demonstrate the required reproducibility, in wafer, between wafers in a given growth run, and from run to run, of the electrical properties required for manufacturing a microwave and millimetre‐wave detector based on electron tunnelling through a thin semiconductor tunnel barrier layer.
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