High-pressure Raman study on two modifications of BaAl_2Si_2
High-pressure Raman study on two modifications of BaAl_2Si_2
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BaAl_2Si_2两种变体的高压拉曼研究
DOI：
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发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
et. al.
中科院分区：
文献类型：
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作者：
H. Shimizu;et. al.
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DOI：
10.1515/znb-1978-0207
发表时间：
1978-01-01
影响因子：
0.8
作者：
KLUFERS, P;MEWIS, A
通讯作者：
MEWIS, A
新型高压改性BaAl_2Si_2的制备及单晶结构
DOI：
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发表时间：
2004
期刊：
High Pressure Research 24
影响因子：
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作者：
M.Hoshino;S.Aoki;高橋正彦;S.Yamanaka
通讯作者：
S.Yamanaka
Ba 掺杂硅包合物 Ba_<24>Si_<100> 高达 27 GPa 的高压拉曼研究
DOI：
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发表时间：
2005
期刊：
Physical Review B 71・9(印刷中)
影响因子：
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作者：
H.Shimizu;T.Kume et al.
通讯作者：
T.Kume et al.
BaAl2Ge2：合成、晶体结构、磁性和电子性质、化学键合以及 α β 相变的原子模型
DOI：
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发表时间：
2003
期刊：
影响因子：
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作者：
S. Leoni;W. Carrillo‐Cabrera;W. Schnelle;Y. Grin
通讯作者：
Y. Grin