Formation of LiNbO3 Domain Inversion by Applying Low Voltage under 325 nm UV Laser Light Irradiation
Formation of LiNbO3 Domain Inversion by Applying Low Voltage under 325 nm UV Laser Light Irradiation
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325 nm 紫外激光照射下施加低电压形成 LiNbO3 畴反转
DOI：
10.1143/jjap.46.1054
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发表时间：
2007
影响因子：
1.5
通讯作者：
M. Minakata
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
S. Yoneyama;S. Nagano;M. Minakata
我们发现 325 nm He-Cd 激光照射使 LiNbO3 晶体的电阻率降低了大约 3 个数量级。而且，在该UV光照射下，证明与非UV光照射的情况相比，可以将畴反转的阈值电压降低至30％。利用这项技术，我们首次在低电压下成功形成了小于 1 µm 的微小畴反转。
We found that 325 nm He–Cd laser light irradiation reduces the resistivity of LiNbO3 crystals by approximately 3 orders of magnitude. Moreover, under this UV light irradiation, it was proved that the threshold voltage for domain inversion can be reduced to 30% as compared with the case of non-UV light irradiation. Using this technique, we successfully formed a minute domain inversion of less than 1 µm at a low voltage, for the first time.
室温光掩模紫外照射电压制备MgO:LiNbO_3反转畴光栅
DOI：
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发表时间：
2003
期刊：
Electron.Lett. 39・9
影响因子：
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作者：
M.Fujimura;T.Sohmura;T.Suhara
通讯作者：
T.Suhara
使用圆形全覆盖电极在 LiNbO_3 基底中实现纳米尺寸周期性畴反转
DOI：
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发表时间：
2006
期刊：
Solid State Electronics (in press)
影响因子：
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作者：
Y.Murakami;N.Hozumi;M.Nagao;Satoshi Yoneyama et al.
通讯作者：
Satoshi Yoneyama et al.