SMART/InN超薄膜ナノ構造が挿入されたGaNダイオード接合特性
SMART/InN超薄膜ナノ構造が挿入されたGaNダイオード接合特性
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插入 SMART/InN 超薄膜纳米结构的 GaN 二极管结特性
DOI:
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发表时间:
2012
期刊:
影响因子:
--
通讯作者:
他
中科院分区:
文献类型:
--
作者:
甲斐聡;他
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影响因子:
--
作者:
Simon Elias Bibri
通讯作者:
Simon Elias Bibri
DOI:
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发表时间:
1991
期刊:
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影响因子:
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作者:
Michael Benedikt
通讯作者:
Michael Benedikt
DOI:
10.1145/3453142.3491285
发表时间:
2021-10
期刊:
2021 IEEE/ACM Symposium on Edge Computing (SEC)
影响因子:
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作者:
Young D. Kwon;Jagmohan Chauhan;Abhishek Kumar;Pan Hui;C. Mascolo
通讯作者:
Young D. Kwon;Jagmohan Chauhan;Abhishek Kumar;Pan Hui;C. Mascolo
DOI:
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发表时间:
2022
期刊:
影响因子:
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作者:
須藤毅顕;芝多佳彦;駒津匡二;澤藤りかい;佐宗亜衣子;植田信太郎;渡辺孝康;根本昂;加納千博;長井貴 彦;大杉勇人;片桐さやか;竹内康雄;小林宏明;岩田隆紀.;大杉勇人
通讯作者:
大杉勇人
DOI:
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发表时间:
2016
期刊:
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影响因子:
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作者:
C. Crutzen
通讯作者:
C. Crutzen