Comparison of Short Circuit Failure Modes in SiC Planar MOSFETs, SiC Trench MOSFETs and SiC Cascode JFETs
Comparison of Short Circuit Failure Modes in SiC Planar MOSFETs, SiC Trench MOSFETs and SiC Cascode JFETs
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SiC 平面 MOSFET、SiC 沟槽 MOSFET 和 SiC 共源共栅 JFET 短路故障模式比较
DOI：
10.1109/wipda49284.2021.9645092
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发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Bashar E
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Bashar E
新一代 1.2 kV SiC MOSFET 的短路耐受性
DOI：
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发表时间：
2018
期刊：
IEEE Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications
影响因子：
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作者：
Bhagyalakshmi Kakarla;T. Ziemann;R. Stark;P. Natzke;U. Grossner
通讯作者：
U. Grossner
Si和SiC MOSFET短路时热应力对比分析
DOI：
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发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
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作者：
G. Kampitsis;S. Papathanassiou;S. Manias
通讯作者：
S. Manias