The Cohomology Invariant for Class DIII Topological Insulators
The Cohomology Invariant for Class DIII Topological Insulators
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DIII 类拓扑绝缘体的上同调不变量
DOI：
10.1007/s00023-022-01183-z
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发表时间：
2022
影响因子：
1.5
通讯作者：
Gomi Kyonori
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
De Nittis Giuseppe;Gomi Kyonori
本文利用等变上同调描述了DIII类带状绝缘体的拓扑相。主要结果是定义的上同调类一般系统的DIII类推广了著名的不变量的Teo-Kane公式在一维的情况下。在二维的情况下，这个上同调不变量允许一个完整的描述的强和弱阶段。本文还讨论了它与KR理论、Noether-Fredholm指标和“真实的”格贝分类的关系。
This work concerns the description of the topological phases of band insulators of class DIII by using the equivariant cohomology. The main result is the definition of a cohomology class for general systems of class DIII which generalizes the well-known-invariant given by the Teo–Kane formula in the one-dimensional case. In the two-dimensional case, this cohomology invariant allows for a complete description of the strong and weak phases. The relation with the KR-theory, the Noether–Fredholm index and the classification of “Real” gerbes is also discussed.
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