Coordinated Switching with SiC MOSFET for Increasing Turn-off dV/dt of Si IGBT
Coordinated Switching with SiC MOSFET for Increasing Turn-off dV/dt of Si IGBT
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与 SiC MOSFET 协调开关以提高 Si IGBT 的关断 dV/dt
DOI：
10.1109/ecce.2018.8557666
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发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Palmer P
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Palmer P
用于混合动力汽车驱动的碳化硅器件的评估
DOI：
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发表时间：
2007
期刊：
EPE
影响因子：
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作者：
G. Roberts;A. T. Bryant;R. Mawby;T. Ueta;T. Nisijima;K. Hamada
通讯作者：
K. Hamada
SiC MOSFET辅助Si IGBT混合开关的特性及开关策略
DOI：
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发表时间：
2017
期刊：
Annual Conference of the IEEE Industrial Electronics Society
影响因子：
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作者：
Haihong Qin;Dan Wang;Y. Zhang;Dafeng Fu;Chaohui Zhao
通讯作者：
Chaohui Zhao