Characteristics of Silicon-on-Low k Insulator Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor with Metal Back Gate
Characteristics of Silicon-on-Low k Insulator Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor with Metal Back Gate
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带金属背栅的低k绝缘体上硅金属氧化物半导体场效应晶体管的特性
DOI：
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发表时间：
2006
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Yusuke YAMADA
中科院分区：
文献类型：
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作者：
浅倉邦彦;小栗栖修;真田博文;鈴木正清;小柳 光正;Takafumi Fukushima;Mitsumasa Koyanagi;Hirokazu KIKUCHI;Yusuke YAMADA
具有埋置背栅的新型绝缘体上硅金属氧化物半导体场效应晶体管
DOI：
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发表时间：
2004
期刊：
Japanese Journal of Applied Physics Vol.43,No.4B
影响因子：
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作者：
Toru Hyakutake;et al.;Hyuckjae Oh
通讯作者：
Hyuckjae Oh