Novel Silicon On Insulator Metal Oxide Semiconductor Field Effects Transistors with Buried Back Gate
Novel Silicon On Insulator Metal Oxide Semiconductor Field Effects Transistors with Buried Back Gate
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具有埋置背栅的新型绝缘体上硅金属氧化物半导体场效应晶体管
DOI：
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发表时间：
2004
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Hyuckjae Oh
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Toru Hyakutake;et al.;Hyuckjae Oh
适用于深亚 0.1 µm 沟道机制的部分接地层 (PGP) 绝缘体上硅 (SOI) 金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
影响因子：
1.5
作者：
S. Yanagi;A. Nakakubo;Y. Omura
通讯作者：
Y. Omura
新型电薄化本征沟道 SOI MOSFET，沟道长度为 0.01 µm
影响因子：
1.5
作者：
T. Shimatani;S. Pidin;M. Koyanagi
通讯作者：
M. Koyanagi
低电源电压下具有大体效应的高性能累积背接口动态阈值 SOI MOSFET (AB-DTMOS)
影响因子：
1.5
作者：
M. Takamiya;T. Saraya;Tran Thi Ngoc Duyet;Y. Yasuda;T. Hiramoto
通讯作者：
T. Hiramoto