Deep Neural Network for Accurate and Efficient Atomistic Modeling of Phase Change Memory

Deep Neural Network for Accurate and Efficient Atomistic Modeling of Phase Change Memory
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用于相变存储器精确高效原子建模的深度神经网络

DOI:
10.1109/led.2020.2964779
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发表时间:
2020-01
期刊:
{IEEE} Electron Device Letters
影响因子:
--
通讯作者:
Jie Liu
Jie Liu
中科院分区:
其他
文献类型:
--
作者:
Mengchao Shi;Pinghui Mo;Jie Liu

文献摘要

参考文献

被引文献

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本文提出了一种基于密度泛函理论和深度神经网络的相变存储器(PCM)全原子模拟方法。它对原子力的最大计算误差约为10−1 eV/m2,
This letter presents a general-purpose fully-atomistic method to simulate phase change memory (PCM), by combining density functional theory (DFT) and deep neural network (DNN). Its maximum calculation error of atomic forces is about 10−1 eV/Å,
DOI: 10.1126/science.1201938
发表时间: 2011-04-29
期刊: SCIENCE
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Xiong, Feng;Liao, Albert D.;Pop, Eric
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DOI: 10.1103/physreva.31.1695
发表时间: 1985-01-01
期刊: PHYSICAL REVIEW A
影响因子: 2.9
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HOOVER, WG
通讯作者: HOOVER, WG
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DOI: 10.1063/1.5098061
发表时间: 2019
影响因子: 4
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Hao Wang;Xun Guo;Linfeng Zhang;Han Wang;Jianming Xue
通讯作者: Jianming Xue
DOI: 10.1021/acs.jpcc.5b00296
发表时间: 2015-03
影响因子: 3.7
作者:
G. Sosso;M. Salvalaglio;J. Behler;M. Bernasconi;M. Parrinello
通讯作者: G. Sosso;M. Salvalaglio;J. Behler;M. Bernasconi;M. Parrinello
DOI: 10.1103/physrevb.96.054204
发表时间: 2017-08
期刊: Physical Review B
影响因子: 3.7
作者:
H. Weber;Mathias Schumacher;P. Jóvári;Y. Tsuchiya;W. Skrotzki;R. Mazzarello;I. Kaban
通讯作者: H. Weber;Mathias Schumacher;P. Jóvári;Y. Tsuchiya;W. Skrotzki;R. Mazzarello;I. Kaban