Enhancement of Remanent Polarization of BIT-Based Thin Films by Ti-Site Substitution Using Ions with Higher Charge Valences
Enhancement of Remanent Polarization of BIT-Based Thin Films by Ti-Site Substitution Using Ions with Higher Charge Valences
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使用具有更高电荷价的离子进行 Ti 位取代来增强 BIT 基薄膜的剩余极化
DOI：
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发表时间：
2003
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
H.Funakubo
中科院分区：
文献类型：
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作者：
H.Uchida;I.Okada;H.Matsuda;T.Iijima;T.Watanabe;H.Funakubo
影响因子：
0.7
作者：
J. Celinska;V. Joshi;S. Narayan;L. Mcmillan;C. A. Paz de Araújo
通讯作者：
C. A. Paz de Araújo
脉冲金属有机化学气相沉积低温外延级多晶Pb(Zr,Ti)O3薄膜
影响因子：
4
作者：
M. Aratani;T. Oikawa;T. Ozeki;H. Funakubo
通讯作者：
H. Funakubo