Towards the large area HVCMOS demonstrator for ATLAS ITk
Towards the large area HVCMOS demonstrator for ATLAS ITk
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面向 ATLAS ITk 的大面积 HVCMOS 演示器
DOI：
10.1016/j.nima.2018.11.022
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发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
M. Prathapan
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
M. Prathapan
摘要高压cmos(Hvcmos)传感器是ATLAS ITK像素桶外层现有混合型传感器的一种高性价比替代方案。为了验证高压CMOS传感器在ATLAS实验中的可行性，正在设计一块大面积演示芯片。本文详细介绍了三种高压cmos传感器芯片的设计细节，并概述了第一个采用0.18μm工艺的大面积(1 cm×2 cm)原型芯片ATLASPix1的测试结果。
Abstract High Voltage CMOS (HVCMOS) sensor is a proposed cost effective alternative to the existing hybrid sensors in ATLAS ITk pixel barrel for outer layers. To prove the feasibility of HVCMOS sensors in ATLAS experiment, a large area demonstrator chip is being designed. This work presents the design details of three HVCMOS sensor chips with an overview of the measurement results of ATLASpix1 which is the first large area (1 cm× 2 cm) prototype in 0.18 μ m process.
DOI：
10.1016/j.nima.2007.07.115
发表时间：
2007-12-01
影响因子：
1.4
作者：
Peric, Ivan
通讯作者：
Peric, Ivan