Rectifying I-V Characteristics of n-Type Fluorine Implanted a-C/p-type Si Heterojunction Diode.
Rectifying I-V Characteristics of n-Type Fluorine Implanted a-C/p-type Si Heterojunction Diode.
复制标题
整流n型氟注入a-C/p型硅异质结二极管的I-V特性。
DOI：
--
复制
发表时间：
2004
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
K.L.Narayanan et al.
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
P.A.C.Varley;R.R.Martin;H.Suzuki;K.L.Narayanan et al.
射频等离子体化学气相沉积氢化非晶碳薄膜中的离子束诱导效应
DOI：
10.1143/jjap.42.l1021
发表时间：
2003
期刊：
影响因子：
--
作者：
K. L. Narayanan;T. Soga;Y. Oshita;M. Yamaguchi
通讯作者：
M. Yamaguchi