Electronic structures of individual poly(3-hexylthiophene) nanowires on hydrogen-terminated Si(100) surfaces
Electronic structures of individual poly(3-hexylthiophene) nanowires on hydrogen-terminated Si(100) surfaces
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氢封端Si(100)表面上单个聚(3-己基噻吩)纳米线的电子结构
DOI：
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发表时间：
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期刊：
影响因子：
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通讯作者：
T.Hashizume
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Y.Terada;H.Shigekawa;Y.Suwa;S.Heike;M.Fujimori;T.Hashizume
通过扫描隧道显微镜操作改变 Si(111) 表面的性质
影响因子：
1.5
作者：
S. Heike;T. Hashizume;Satoshi Watanabe;M. Lutwyche;Y. Wada
通讯作者：
Y. Wada