Influence of sulfurization pressure on Cu2ZnSnS4 thin films and solar cells prepared by sulfurization of metallic precursors
Influence of sulfurization pressure on Cu2ZnSnS4 thin films and solar cells prepared by sulfurization of metallic precursors
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硫化压力对金属前驱体硫化制备的Cu2ZnSnS4薄膜和太阳能电池的影响
DOI：
10.1016/j.jpowsour.2014.09.088
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发表时间：
2015
影响因子：
9.2
通讯作者：
Chu Junhao
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
He Jun;Sun Lin;Chen Ye;Jiang Jinchun;Yang Pingxiong;Chu Junhao
研究了硫化压力对金属层硫化制备的锌锡合金Cu 2 ZnSnS 4（CZTS）薄膜的成分、形貌和显微结构的影响。结果表明，CZTS薄膜中的硫含量与硫化压力有很强的依赖关系。在低硫化压力下硫化的CZTS薄膜具有双层结构的贫S状态，而在高硫化压力下，它表现出足够量的硫，在整个吸收膜中具有晶粒生长。X射线衍射数据表明，在CZTS晶粒生长过程中，较低的硫化压力可以诱导形成更多的结构缺陷的CZTS的晶格和高硫化压力下硫化的CZTS薄膜有更多的随机取向。此外，作为对拉曼光谱的补充，傅里叶变换红外反射光谱测定了所有样品中存在ZnS和MoS 2相。在10托硫化压力下用CZTS薄膜制造的太阳能电池显示出3.52%的最佳转换效率（VOC= 484 mV，JSC= 14.56 mA cm-2，FF = 50.1%）。
Effects of sulfurization pressure on composition, morphology and microstructure of kesterite Cu2ZnSnS4(CZTS) thin films obtained by sulfurization of the metallic layers have been investigated in detail. It is found that the S content in the CZTS thin films is strongly dependent on the sulfurization pressure. The CZTS thin films sulfurized under low sulfurization pressure have S-poor state with a bilayer structure, while it exhibits sufficient amounts of sulfur under high sulfurization pressure with grain growth throughout the entire absorber film. X-ray diffraction data indicate lower sulfurization pressure during the CZTS grain growth process can induce the formation of more structural defects in the CZTS lattice and the CZTS thin films sulfurized under high sulfurization pressure have more random orientation. Furthermore, ZnS and MoS2phase exist in all samples determined by Fourier transform infrared reflectance spectroscopy as complementary to Raman spectroscopy. The solar cell fabricated with the CZTS thin film under 10 Torr sulfurization pressure shows the best conversion efficiency of 3.52% (VOC= 484 mV,JSC= 14.56 mA cm−2, FF = 50.1%).
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影响因子：
27.8
作者：
Cao, Qing;Gunawan, Oki;Mitzi, David B.
通讯作者：
Mitzi, David B.
影响因子：
1.9
作者：
G. Zoppi;K. Durose;S. Irvine;V. Barrioz
通讯作者：
G. Zoppi;K. Durose;S. Irvine;V. Barrioz
DOI：
10.1039/c2cp41969f
发表时间：
2012-07
期刊：
Physical chemistry chemical physics : PCCP
影响因子：
--
作者：
Wei Wang;Seung-Yeol Han;S. Sung;Dae‐Hwan Kim;Chih-hung Chang
通讯作者：
Wei Wang;Seung-Yeol Han;S. Sung;Dae‐Hwan Kim;Chih-hung Chang
影响因子：
1.5
作者：
N. Momose;M. Htay;Takuto Yudasaka;S. Igarashi;T. Seki;S. Iwano;Y. Hashimoto;K. Ito
通讯作者：
N. Momose;M. Htay;Takuto Yudasaka;S. Igarashi;T. Seki;S. Iwano;Y. Hashimoto;K. Ito
影响因子：
2.4
作者：
S. Pawar;A. Moholkar;I. Kim;S. Shin;J. Moon;J. Rhee;J. H. Kim
通讯作者：
S. Pawar;A. Moholkar;I. Kim;S. Shin;J. Moon;J. Rhee;J. H. Kim