The effects of interruption time on the growth of Ge islands prepared by ion beam sputtering deposition
The effects of interruption time on the growth of Ge islands prepared by ion beam sputtering deposition
复制标题
中断时间对离子束溅射沉积Ge岛生长的影响
DOI：
10.1016/j.vacuum.2018.05.002
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发表时间：
2018-08
期刊：
影响因子：
4
通讯作者：
Yang Y
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Yang Jie;Weng Xiaokang;Zhang Mingling;Qiu Feng;Wang Rongfei;Wang Chong;Yang Yu;Yang Jie;Yang Tao;Qiu Feng;Wang Rongfei;Wang Chong;Yang Yu;Wang C;Yang Y
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影响因子：
4
作者：
Fu-Ming Li;Yongliang Fan;Xu Yang;Zuimin Jiang;Yueqin Wu;J. Zou
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O. Schmidt;U. Denker;K. Eberl;O. Kienzle;F. Ernst
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T. Leontiou;P. Kelires
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通讯作者：
Medeiros-Ribeiro, G.
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通讯作者：
F. Xiong;Tao Yang;Zhaoning Song;Peizhi Yang