Enhanced power factor of Mg2Si0.3Sn0.7 synthesized by a non-equilibrium rapid solidification method
Enhanced power factor of Mg2Si0.3Sn0.7 synthesized by a non-equilibrium rapid solidification method
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非平衡快速凝固法合成Mg2Si0.3Sn0.7的增强功率因数
DOI：
10.1016/j.scriptamat.2014.09.009
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发表时间：
2015-02
影响因子：
6
通讯作者：
Uher, Ctirad
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Su, Xianli;Yin, Kang;Tang, Xinfeng;Uher, Ctirad
分别采用熔体快淬法（MS）和两步固相反应法（SSR）制备了掺Sb的Mg 2Si 0. 3Sn 0. 7合金。非平衡MS技术通过快速淬火均匀熔体，大大提高了结构的均匀性。因此，载流子迁移率和电导率大大增强，导致600 K时功率因数达到5.18 × 10− 3 W m− 1 K − 2，比SSR-PAS样品提高15%，750 K时ZT值高达1.30。
Sb-doped Mg2Si0.3Sn0.7was respectively prepared by melt spinning (MS) and by a two-step solid-state reaction (SSR), followed by plasma-activated sintering (PAS). The nonequilibrium MS technique greatly improves the structural homogeneity by rapidly quenching the homogeneous melt. As a consequence, the carrier mobility and electrical conductivity is much enhanced, leading to a record power factor of 5.18 × 10−3W m−1K−2at 600 K, a 15% improvement over the SSR–PAS sample, and a high figure of meritZT≈ 1.30 at 750 K.
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V. Zaitsev;M. Fedorov;E. A. Gurieva;I. Eremin;P. P. Konstantinov-P.;A. Samunin;M. Vedernikov