Thin Body III–V-Semiconductor-on-Insulator Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistors on Si Fabricated Using Direct Wafer Bonding
Thin Body III–V-Semiconductor-on-Insulator Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistors on Si Fabricated Using Direct Wafer Bonding
复制标题
使用直接晶圆键合制造的硅上薄体 III-V-绝缘体上金属氧化物半导体场效应晶体管
DOI：
10.1143/apex.2.124501
复制
发表时间：
2009
影响因子：
2.3
通讯作者：
S. Takagi
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
M. Yokoyama;T. Yasuda;H. Takagi;H. Yamada;N. Fukuhara;M. Hata;M. Sugiyama;Y. Nakano;M. Takenaka;S. Takagi
我们已经证明了薄体III-V-绝缘体上的晶闸管（III-V-OI）的n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（nMOSFET）的硅晶片制造使用一种新的直接晶片键合（DWB）工艺。利用低能量电子回旋共振（ECR）等离子体，通过低损伤低温DWB工艺成功地实现了100 nm厚InGaAs沟道的转移。在Si基片上转移的InGaAs-OI nMOSFET表现出1200 cm 2·V-1·s-1的高电子沟道迁移率，表明本DWB工艺允许我们形成薄的III-V-OI沟道而没有严重的等离子体和键合损伤。该技术有望开辟在Si平台上集成体III-V-OI MOSFET的可能性。
We have demonstrated thin body III–V-semiconductor-on-insulator (III-V-OI) n-channel metal–oxide–semiconductor field-effect transistors (nMOSFETs) on a Si wafer fabricated using a novel direct wafer bonding (DWB) process. A 100-nm-thick InGaAs channel was successfully transferred by the low damage and low temperature DWB process using low energy electron cyclotron resonance (ECR) plasma. The transferred InGaAs-OI nMOSFET on the Si wafer exhibited a high electron channel mobility of 1200 cm2·V-1·s-1, indicating that the present DWB process allows us to form thin III-V-OI channels without serious plasma and bonding damage. This technology is expected to open up the possibility of integrating the ultrathin body III-V-OI MOSFETs on Si platform.
InGaAs/lnAIAs 变质高电子迁移率异质结构的外延剥离及其在 AIN 陶瓷基板上的范德华键合
DOI：
--
发表时间：
2008
期刊：
Appl.Phys.Express 1
影响因子：
--
作者：
Y.Jeong;M.Shindo;M.Akabori;and T.Suzuki
通讯作者：
and T.Suzuki