Epitaxial lift-off of InGaAs/lnAIAs metamorphic high electron mobility heterostructures and their vander Waals bonding on AIN ceramic substrates
Epitaxial lift-off of InGaAs/lnAIAs metamorphic high electron mobility heterostructures and their vander Waals bonding on AIN ceramic substrates
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InGaAs/lnAIAs 变质高电子迁移率异质结构的外延剥离及其在 AIN 陶瓷基板上的范德华键合
DOI:
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发表时间:
2008
期刊:
影响因子:
--
通讯作者:
and T.Suzuki
中科院分区:
文献类型:
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作者:
Y.Jeong;M.Shindo;M.Akabori;and T.Suzuki
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影响因子:
3.1
作者:
SHAH, DM;CHAN, WK;DEROSA, F
通讯作者:
DEROSA, F
影响因子:
1.8
作者:
T. Mishima;K. Higuchi;Mori Mitsuhiro;M. Kudo
通讯作者:
M. Kudo
DOI:
10.1109/16.239727
发表时间:
1993
期刊:
--
影响因子:
--
作者:
P. Young;S. Alterovitz;R. Mena;E. Smith
通讯作者:
E. Smith
DOI:
--
发表时间:
2007
期刊:
J.Cryst. Growth referred vol.301-302
影响因子:
--
作者:
Y. Jeong;H. Choi;T. Suzuki
通讯作者:
T. Suzuki
影响因子:
2.1
作者:
K. Friedland;A. Riedel;H. Kostial;M. Höricke;R. Hey;K. Ploog
通讯作者:
K. Ploog