Evidence for Dark States in the Temperature Dependent Recombination Dynamics of InGaN/GaN Quantum Wells
Evidence for Dark States in the Temperature Dependent Recombination Dynamics of InGaN/GaN Quantum Wells
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InGaN/GaN 量子阱温度相关复合动力学中暗态的证据
DOI：
10.7567/jjap.52.08jl12
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发表时间：
2013
影响因子：
1.5
通讯作者：
Badcock T
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Badcock T
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