Drastic decrease in dislocations during the LPE growth of GaN single crystals using Na flux method without any artificial processes
Drastic decrease in dislocations during the LPE growth of GaN single crystals using Na flux method without any artificial processes
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使用Na助熔剂法进行GaN单晶LPE生长过程中位错大幅减少，无需任何人工过程
DOI：
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发表时间：
2006
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
F.Kawamura
中科院分区：
文献类型：
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作者：
K.Arakawa;et al.;小野 邦彦;F.Kawamura
使用液相外延 (LPE) 技术生长大型 GaN 单晶
DOI：
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发表时间：
2003
期刊：
影响因子：
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作者：
F. Kawamura;Tomoya Iwahashi;K. Omae;M. Morishita;M. Yoshimura;Y. Mori;T. Sasaki
通讯作者：
T. Sasaki
使用 Li-Na 混合助熔剂系统生长块状 GaN 单晶
影响因子：
1.5
作者：
M. Morishita;F. Kawamura;Tomoya Iwahashi;M. Yoshimura;Y. Mori;T. Sasaki
通讯作者：
T. Sasaki