Modeling tunnel field effect transistors—From interface chemistry to non-idealities to circuit level performance
Modeling tunnel field effect transistors—From interface chemistry to non-idealities to circuit level performance
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隧道场效应晶体管建模——从界面化学到非理想性再到电路级性能
DOI：
10.1063/1.5044434
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发表时间：
2018
影响因子：
3.2
通讯作者：
Ghosh, Avik W.
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Ahmed, Sheikh Z.;Tan, Yaohua;Truesdell, Daniel S.;Calhoun, Benton H.;Ghosh, Avik W.
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纳米电子学：分子视角
DOI：
--
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
作者：
Avik W. Ghosh
通讯作者：
Avik W. Ghosh
影响因子：
3.2
作者：
D. Kienle;J. Cerdá;Avik W. Ghosh
通讯作者：
D. Kienle;J. Cerdá;Avik W. Ghosh
影响因子：
2.3
作者：
Avik W. Ghosh
通讯作者：
Avik W. Ghosh
影响因子：
20.6
作者：
Bernstein, Kerry;Cavin, Ralph K., III;Welser, Jeff
通讯作者：
Welser, Jeff
影响因子：
3.2
作者：
Kienle, D.;Bevan, K. H.;Ghosh, A. W.
通讯作者：
Ghosh, A. W.