Spontaneous perpendicular exchange bias effect in L10-MnGa/FeMn bilayers grown by molecular-beam epitaxy
Spontaneous perpendicular exchange bias effect in L10-MnGa/FeMn bilayers grown by molecular-beam epitaxy
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分子束外延生长的 L10-MnGa/FeMn 双层中的自发垂直交换偏压效应
DOI：
10.1063/1.5016567
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发表时间：
2018-01
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
J. H. Zhao
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
X. P. Zhao;J. Lu;S. W. Mao;Z. F. Yu;D. H. Wei;J. H. Zhao
本文报道了L10-MnGa/FeMn双层膜的自发垂直交换偏置效应。采用分子束外延技术在GaAs（001）衬底上外延生长了单晶铁磁L10-MnGa，并引入不同厚度的FeMn层作为反铁磁层与之耦合。垂直交换偏置显示出强烈的依赖于FeMn层的厚度和测量温度。在没有任何外磁处理的情况下，在5 K下，在L10-MnGa/FeMn双层膜中实现了高达8.9kOe的大的自发垂直交换偏置。相应的有效界面交换能Jeff估计为1.4 mJ/m2。（001）织构L10-MnGa/FeMn双层膜中自发的垂直交换偏置效应为基于交换偏置垂直磁化材料的自旋电子学器件的研究铺平了道路。
We report on the spontaneous perpendicular exchange bias effect in as-grown L10-MnGa/FeMn bilayers. An FeMn layer with different thicknesses is introduced as an antiferromagnetic layer to couple with single-crystalline ferromagnetic L10-MnGa, which is epitaxially grown on a GaAs (001) substrate by molecular-beam epitaxy. The perpendicular exchange bias shows a strong dependence on both the thickness of the FeMn layer and the measurement temperature. A large spontaneous perpendicular exchange bias up to 8.9 kOe is achieved in L10-MnGa/FeMn bilayers at 5 K without any external magnetic treatment. The corresponding effective interfacial exchange energy Jeff is estimated to be 1.4 mJ/m2. The spontaneous perpendicular exchange bias effect in the (001) textured L10-MnGa/FeMn bilayers paves the way for spintronic devices based on exchange biased perpendicularly magnetized materials.
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DOI：
10.1016/0956-716x(94)90182-1
发表时间：
1994-03-15
期刊：
SCRIPTA METALLURGICA ET MATERIALIA
影响因子：
--
作者：
ZHANG, B;SOFFA, WA
通讯作者：
SOFFA, WA
影响因子：
3.2
作者：
Cheng‐Che Tsai;J. Hsu;King-Fu Lin
通讯作者：
Cheng‐Che Tsai;J. Hsu;King-Fu Lin
影响因子：
3.2
作者：
T. Ambrose;C. Chien
通讯作者：
T. Ambrose;C. Chien
影响因子：
3.2
作者：
Chien-Ying Tsai;J. Hsu;P. Saravanan;King-Fu Lin
通讯作者：
Chien-Ying Tsai;J. Hsu;P. Saravanan;King-Fu Lin
影响因子：
3.7
作者：
Nowak, U;Usadel, KD;Güntherodt, G
通讯作者：
Güntherodt, G