Understanding and Characterizing Side Channels Exploiting Phase-Change Memories
Understanding and Characterizing Side Channels Exploiting Phase-Change Memories
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理解和表征利用相变存储器的侧通道
DOI：
10.1109/mm.2023.3238894
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发表时间：
2023
期刊：
影响因子：
3.6
通讯作者：
Yao, Fan
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Chowdhuryy, Md Hafizul;Ewetz, Rickard;Awad, Amro;Yao, Fan
DOI：
10.1007/11894063_16
发表时间：
2006-10
期刊：
--
影响因子：
--
作者：
Joseph Bonneau;Ilya Mironov
通讯作者：
Joseph Bonneau;Ilya Mironov
SEED 的种子：R-SAW：利用 MLC 相变存储器中的读取不对称性的新侧通道
DOI：
10.1109/seed51797.2021.00013
发表时间：
2021
期刊：
2021 International Symposium on Secure and Private Execution Environment Design (SEED
影响因子：
--
作者：
Chowdhuryy, Md Hafizul;Ewetz, Rickard;Awad, Amro;Yao, Fan
通讯作者：
Yao, Fan
DOI：
10.1145/3466752.3480054
发表时间：
2021-10
期刊：
MICRO-54: 54th Annual IEEE/ACM International Symposium on Microarchitecture
影响因子：
--
作者：
Md Hafizul Islam Chowdhuryy;M. Rashed;Amro Awad;Rickard Ewetz;Fan Yao
通讯作者：
Md Hafizul Islam Chowdhuryy;M. Rashed;Amro Awad;Rickard Ewetz;Fan Yao