Advances in Scanning Electron Microscopy for Semiconductor Metrology
Advances in Scanning Electron Microscopy for Semiconductor Metrology
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半导体计量扫描电子显微镜的进展
DOI：
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发表时间：
2003
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Ermes Severgnini
中科院分区：
文献类型：
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作者：
M. Nd;M. Vasconi;Ermes Severgnini
SEM在半导体工业中的典型应用包括评估通常印刷在硅晶片上的图案的临界尺寸（CD）。越来越小的结构和新工艺材料的引入需要先进的计量技术，从而挑战了当前一代工具的能力，并将CD技术推向极限。除此之外，该仪器应提供有关目标轮廓和形状的可靠数据，而不会降低分辨率、精度和准确度等常用质量参数。我们回顾了这样的SEM应遵守的特点，以保持与集成电路技术的步伐，沿着与合适的解决方案，以提高MEMS输出。
A typical application for SEMs in the semiconductor industry consists of evaluating the critical dimensions (CDs) of the patterns typically printed on a silicon wafer. The path towards smaller and smaller structures and the introduction of new process materials require leading-edge metrology, thus challenging the capabilities of current generation tools and pushing the CD technique to its limits. Beyond this, the instrument should offer reliable data on target profile and shape with no decrease in usual quality parameters like resolution, precision and accuracy. We review the characteristics such an SEM should comply with in order to keep the pace with integrated-circuit technology, along with suitable solutions to improve metrological outputs.
DOI：
10.11203/jar.19.177
发表时间：
2004-09
期刊：
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影响因子：
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作者：
裕幸 飯田;菊男 竹田;武利 藤本
通讯作者：
裕幸 飯田;菊男 竹田;武利 藤本