Al/Ge(111)構造で生じる表面偏析を利用した極薄Ge結晶形成
Al/Ge(111)構造で生じる表面偏析を利用した極薄Ge結晶形成
复制标题
利用 Al/Ge(111) 结构中发生的表面偏析形成超薄 Ge 晶体
DOI：
--
复制
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
宮﨑 誠一
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
小林 征登;大田 晃生;田岡 紀之;池田 弥央;牧原 克典;宮﨑 誠一
登录
查看更多内容
影响因子：
--
作者：
SCHULZ, LG;TANGHERLINI, FR
通讯作者：
TANGHERLINI, FR
影响因子：
10.8
作者：
Derivaz, Mickael;Dentel, Didier;Pirri, Carmelo
通讯作者：
Pirri, Carmelo
影响因子：
8.6
作者：
Fleurence, Antoine;Friedlein, Rainer;Yamada-Takamura, Yukiko
通讯作者：
Yamada-Takamura, Yukiko
部分电离束在低折射率 Si 表面上室温外延生长 Ag
影响因子：
3.2
作者：
T. C. Nason;L. You;T. Lu
通讯作者：
T. Lu
部分电离束沉积技术生长外延Ag/Si薄膜
影响因子：
3.2
作者：
T. C. Nason;L. You;G;T. Lu
通讯作者：
T. Lu