Observation of tunneling gap in epitaxial ultrathin films of pyrite-type copper disulfide
Observation of tunneling gap in epitaxial ultrathin films of pyrite-type copper disulfide
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黄铁矿型二硫化铜外延超薄膜中隧道间隙的观察
DOI：
10.1088/0256-307x/35/2/027303
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发表时间：
2018-01
影响因子：
3.5
通讯作者：
Xue Qi-Kun
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Liu Chong;Yang Haohao;Song Can-Li;Li Wei;He Ke;Ma Xu-Cun;Wang Lili;Xue Qi-Kun
We report scanning tunneling microscopy investigation on epitaxial ultrathin films of pyrite-type copper disulfide. Layer by layer growth of CuS2 films with a preferential orientation of (111) on SrTiO3(001) and Bi2Sr2CaCu2O8+{\delta} substrates is achieved by molecular beam epitaxy growth. For ultrathin films on both kinds of substrates, we observed symmetric tunneling gap around Fermi level that persists up to ~ 15 K. The tunneling gap degrades with either increasing temperature or increasing thickness, suggesting new matter states at the extreme two dimensional limit.
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影响因子：
10.9
作者：
Z. Hou;A. Y. Li;Z. Z. Zhu-Z.;M. Huang;黄美纯
通讯作者：
Z. Hou;A. Y. Li;Z. Z. Zhu-Z.;M. Huang;黄美纯
影响因子：
2.1
作者：
T. A. Bither;C. Prewitt;J. L. Gillson;P. Bierstedt;R. Flippen;H. S. Young
通讯作者：
T. A. Bither;C. Prewitt;J. L. Gillson;P. Bierstedt;R. Flippen;H. S. Young
影响因子：
2.8
作者：
M. Kontani;T. Tutui;T. Moriwaka;T. Mizukoshi
通讯作者：
M. Kontani;T. Tutui;T. Moriwaka;T. Mizukoshi
影响因子：
16.6
作者：
Navarro-Moratalla E;Island JO;Mañas-Valero S;Pinilla-Cienfuegos E;Castellanos-Gomez A;Quereda J;Rubio-Bollinger G;Chirolli L;Silva-Guillén JA;Agraït N;Steele GA;Guinea F;van der Zant HS;Coronado E
通讯作者：
Coronado E
影响因子：
4.4
作者：
R. A. Munson;W. Desorbo;J. Kouvel
通讯作者：
R. A. Munson;W. Desorbo;J. Kouvel