Constructed Ge Quantum Dots and Sn Precipitate SiGeSn Hybrid Film with High Thermoelectric Performance at Low Temperature Region
Constructed Ge Quantum Dots and Sn Precipitate SiGeSn Hybrid Film with High Thermoelectric Performance at Low Temperature Region
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构建Ge量子点和Sn沉淀SiGeSn杂化薄膜，在低温区具有高热电性能
DOI：
10.1002/aenm.202103191
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发表时间：
2021-11
影响因子：
27.8
通讯作者：
Mori Takao
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Peng Ying;Miao Lei;Liu Chengyan;Song Haili;Kurosawa Masashi;Nakatsuka Osamu;Back Song Yi;Rhyee Jong Soo;Murata Masayuki;Tanemura Sakae;Baba Takahiro;Baba Tetsuya;Ishizaki Takahiro;Mori Takao
SiGe基热电（TE）材料因高温应用而闻名，但在低温区域很少相关。这里通过超快高温构建了 Ge 量子点 (QD) 和 Sn 沉淀 SiGeSn 混合薄膜。
SiGe‐based thermoelectric (TE) materials are well‐known for high‐temperature utilization, but rarely relevant in the low temperature region. Here a Ge quantum dots (QDs) and Sn precipitation SiGeSn hybrid film are constructed via ultrafast high temperatur
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影响因子：
6.1
作者：
Kakefuda, Yohei;Yubuta, Kunio;Mori, Takao
通讯作者：
Mori, Takao
影响因子：
0.8
作者：
D. Golubev;A. G. Semenov;A. Zaikin
通讯作者：
D. Golubev;A. G. Semenov;A. Zaikin
影响因子：
8.8
作者：
Yuping Wang;Bingchao Qin;Dongyang Wang;Tao Hong;Xiang Gao;Li-dong Zhao
通讯作者：
Yuping Wang;Bingchao Qin;Dongyang Wang;Tao Hong;Xiang Gao;Li-dong Zhao
DOI：
10.1088/0022-3727/35/17/315
发表时间：
2002-08
期刊：
Journal of Physics D: Applied Physics
影响因子：
--
作者：
D. Rowe;V. Kuznetsov;L. Kuznetsova;G. Min
通讯作者：
D. Rowe;V. Kuznetsov;L. Kuznetsova;G. Min
影响因子：
1.6
作者：
N. Taketoshi;T. Baba;A. Ono
通讯作者：
N. Taketoshi;T. Baba;A. Ono