A novel wrap-gate-controlled single electron transistor formed on an InGaAs ridge quantum wire grown by selective MBE
A novel wrap-gate-controlled single electron transistor formed on an InGaAs ridge quantum wire grown by selective MBE
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一种新型绕栅控制单电子晶体管，在选择性 MBE 生长的 InGaAs 脊量子线上形成
DOI：
10.1016/s0038-1101(98)00041-0
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发表时间：
1998
影响因子：
1.7
通讯作者：
H. Hasegawa
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
H. Okada;H. Fujikura;T. Hashizume;H. Hasegawa
H.Fujikura：“利用 (311)A 小平面上选择性分子束外延生长制造 InP 基 InGaAs 脊量子线”J.Electron.Mater。
DOI：
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发表时间：
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期刊：
影响因子：
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作者：
通讯作者：
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S.Kasai：“基于二维电子气肖特基面内栅极和包裹栅极控制的具有单点和多点的 GaAs 单电子器件的制造和表征”Jpn.J.Appl.Phys。
DOI：
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发表时间：
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期刊：
影响因子：
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作者：
通讯作者：
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