H.Fujikura: "Fabrication of InP-Based InGaAs Ridge Quantum Wires Utilizing Selective Molecular Beam Epitaxial Growth on (311)A Facets"J.Electron.Mater. 25. 619 (1996)
H.Fujikura: "Fabrication of InP-Based InGaAs Ridge Quantum Wires Utilizing Selective Molecular Beam Epitaxial Growth on (311)A Facets"J.Electron.Mater. 25. 619 (1996)
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H.Fujikura：“利用 (311)A 小平面上选择性分子束外延生长制造 InP 基 InGaAs 脊量子线”J.Electron.Mater。
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GaAs (311)B 基底上自组织应变 InGaAs 量子盘（直径 200-30 nm）在室温下发出强光致发光
影响因子：
4
作者：
R. Nötzel;J. Temmyo;H. Kamada;T. Furuta;T. Tamamura
通讯作者：
T. Tamamura
用于去除费米能级钉扎的具有Si界面控制层的InGaAs线的制造工艺和性能
影响因子：
6.7
作者：
H. Fujikura;H. Tomozawa;M. Akazawa;H. Hasegawa
通讯作者：
H. Hasegawa
通过分子束外延在 GaAs (411)A 衬底上生长的 GaAs/AlGaAs 量子阱中的极其平坦的界面
影响因子：
1.5
作者：
S. Shimomura;A. Wakejima;A. Adachi;Y. Okamoto;N. Sano;K. Murase;S. Hiyamizu
通讯作者：
S. Hiyamizu
波纹 InP 衬底上择优分子束外延生长 InGaAs 线
影响因子：
1.5
作者：
H. Fujikura;T. Iwa;H. Hasegawa
通讯作者：
H. Hasegawa
用于激光器的通道衬底 (100) GaAs 上 QW 的 MBE 生长中的表面扩散效应
影响因子：
1.8
作者：
H. Meier;E. V. Gieson;P. Epperlein;C. Harder;W. Walter;M. Krahl;D. Bimberg
通讯作者：
D. Bimberg