Low-voltage organic filed-effect transistors with a gate insulator of Ta2O5 formed by sputtering
Low-voltage organic filed-effect transistors with a gate insulator of Ta2O5 formed by sputtering
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溅射Ta2O5栅绝缘体低压有机场效应晶体管
DOI：
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发表时间：
2004
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
H.Sakai et al.
中科院分区：
文献类型：
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作者：
H.Sakai et al.
采用Ta2O5射频溅射绝缘薄膜的薄膜电致发光器件
DOI：
10.1143/jjap.21.1028
发表时间：
1982
期刊：
影响因子：
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作者：
H. Kozawaguchi;B. Tsujiyama;K. Murase
通讯作者：
K. Murase