Site-selective x-ray absorption fine structure analysis of an optically active center in Er-doped semiconductor thin film using x-ray-excited optical luminescence
Site-selective x-ray absorption fine structure analysis of an optically active center in Er-doped semiconductor thin film using x-ray-excited optical luminescence
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利用 X 射线激发光学发光对掺铒半导体薄膜中的光学活性中心进行位点选择性 X 射线吸收精细结构分析
DOI：
10.1063/1.1336546
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发表时间：
2001
影响因子：
4
通讯作者：
Y. Aoyagi
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
M. Ishii;Yoshihito Tanaka;T. Ishikawa;S. Komuro;T. Morikawa;Y. Aoyagi
为了讨论掺铒硅薄膜中光学活性中心的局域结构，采用X射线激发光致发光的方法，对掺铒硅薄膜进行了位置选择性X射线吸收精细结构（XAFS）分析。在Er LIII边缘的XAFS光谱从由于Er内4f跃迁的红外发光的峰值强度的X射线光子能量依赖性获得。虽然传统的XAFS测量分析所有Er的平均结构，但这种方法本质上只提供光学活性Er的结构信息。一个广泛的2 p-5d共振峰的位置选择性XAFS光谱再现的扭曲ErO 6集团的状态密度计算，假设从八面体中心的0.25埃的Er变换。
In order to discuss the local structure of an optically active center in Er-doped Si thin film, site-selective x-ray absorption fine structure (XAFS) analysis using x-ray-excited optical luminescence was performed. The XAFS spectrum at the Er LIII edge was obtained from the x-ray photon energy dependence of the peak intensity of infrared luminescence due to Er intra-4f transition. Although conventional XAFS measurement analyzes the average structure of all of the Er, this method intrinsically provides structural information for only optically active Er. A broad 2p–5d resonant peak in the site-selective XAFS spectrum is reproduced by a density-of-state calculation of a distorted ErO6 cluster, assuming an Er transformation from an octahedral center of 0.25 A.
M.Ishii：“激光烧蚀制备的掺铒硅薄膜中的光学活性中心及其激活过程”J.Appl.Phys.（待出版）。
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