Vertically aligned single-crystalline ultra-thin CuO nanosheets: Low-temperature fabrication, growth mechanism, and excellent field emission
Vertically aligned single-crystalline ultra-thin CuO nanosheets: Low-temperature fabrication, growth mechanism, and excellent field emission
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垂直排列单晶超薄氧化铜纳米片：低温制造、生长机制和优异的场发射
DOI：
10.1016/j.jallcom.2014.04.159
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发表时间：
2014-10
影响因子：
6.2
通讯作者：
Cheng-Wei Wang
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Wei-Dong Zhu;Jian-Biao Chen;Xu-Qiang Zhang;Cheng-Wei Wang
采用溶剂热法在90 °C低温下在Cu衬底上制备了具有高质量单晶结构的垂直取向超薄CuO纳米片。所制备的纳米片的厚度和尺寸可以通过改变反应时间和温度来定制。在实验结果的基础上，一个可能的机制，垂直排列的超薄CuO纳米片的形成进行了推测。此外，所制备的超薄CuO纳米片具有良好的场发射性能，在8.23 V/μm时，最佳样品的开启电场为2.19 V/μm，电流密度为4.5 mA/cm 2。更重要的是，优化后的样本还表现出出色的FE稳定性，波动范围在2%以内。基于随温度变化的FE测量，稳定的FE性能可以归因于片状CuO发射体的低局部加热效应，源自其上级散热能力和低焦耳加热。
An effective and one-step solvothermal process is developed to fabricate vertically aligned ultra-thin CuO nanosheets with high-quality single crystalline structure on Cu substrate at low temperature of 90 °C. The thickness and size of the prepared nanosheets can be tailored by changing reaction duration and temperature. On the basis of experimental results, a possible mechanism for the formation of the vertically aligned ultra-thin CuO nanosheets is speculated. Moreover, the prepared ultra-thin CuO nanosheets exhibit excellent field emission (FE) properties, a low turn-on electric field of 2.19 V/μm and a high current density of 4.5 mA/cm2at 8.23 V/μm can be realized from the optimized sample. More importantly, the optimized sample also shows excellent FE stability with fluctuations within 2%. Based on temperature-dependent FE measurement, the stable FE property can be attributed to the low local heating effects of sheet-like CuO emitters, originating from their superior heat dissipation ability and low Joule heating.
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DOI：
10.1021/jp0557363
发表时间：
2006-01
期刊：
The journal of physical chemistry. B
影响因子：
--
作者：
Guifu Zou;Hui Li;Dawei Zhang;Kan Xiong;Chao Dong;Y. Qian
通讯作者：
Guifu Zou;Hui Li;Dawei Zhang;Kan Xiong;Chao Dong;Y. Qian
影响因子：
4.6
作者：
Weixin Zhang;X. Wen;Shih-Hsuan Yang
通讯作者：
Weixin Zhang;X. Wen;Shih-Hsuan Yang
影响因子：
29.4
作者：
Jiang, Lili;Yang, Tianzhong;Gao, Hong-Jun
通讯作者：
Gao, Hong-Jun
影响因子：
3.5
作者：
Zhu, YW;Yu, T;Sow, CH
通讯作者：
Sow, CH
影响因子：
6.4
作者：
Swati Das;S. Saha;Dipayan Sen;U. Ghorai;D. Banerjee;K. Chattopadhyay
通讯作者：
Swati Das;S. Saha;Dipayan Sen;U. Ghorai;D. Banerjee;K. Chattopadhyay