ESR/ENDOR法を用いたホスホニウム基を有する安定なナフタレンジイミドラジカルイオンの電子構造の解明

ESR/ENDOR法を用いたホスホニウム基を有する安定なナフタレンジイミドラジカルイオンの電子構造の解明
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使用 ESR/ENDOR 方法阐明具有鏻基团的稳定萘二酰亚胺自由基离子的电子结构

DOI:
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发表时间:
2016
期刊:
影响因子:
--
通讯作者:
巽俊輔・杉崎研司・佐藤和信・豊田和男・塩見大輔・SHARVAN Kumar・SUDHIR Kumar Keshri・PRITAM Mukhopadhyay・工位武治
巽俊輔・杉崎研司・佐藤和信・豊田和男・塩見大輔・SHARVAN Kumar・SUDHIR Kumar Keshri・PRITAM Mukhopadhyay・工位武治
中科院分区:
--
文献类型:
--
作者:
T. Shibata;E. Hosseini;S. Nakazawa;S. Yamamoto;K. Sugisaki;K. Maruyama;K. Toyota;D. Shiomi;K. Sato and T. Takui;柴田大貴・山本悟・中澤重顕・ホセイニエルハム・杉崎研司・丸山耕司・豊田和男・塩見大輔・佐藤和信・工位武治;巽俊輔・杉崎研司・佐藤和信・豊田和男・塩見大輔・SHARVAN Kumar・SUDHIR Kumar Keshri・PRITAM Mukhopadhyay・工位武治

文献摘要

参考文献

被引文献

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通讯作者: P. Kuppusamy;M. Afeworki;R. A. Shankar;D. Coffin;M. Krishna;S. Hahn;James B. Mitchell;J. Zweier
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